BALLUFF德国耐高温传感器详细摘要，巴鲁夫传感器出售

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  上海乾拓贸易有限公司 

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Mechanical data 安装 齐平 尺寸 Ø 30 x 100 mm 拧紧力矩 25 Nm 结构尺寸 M30x1.5

Output/Interface 开关输出端 PNP 常开触点 (NO)

Range/Distance 安全开关距离Sa 8.1 mm 温度漂移，

较大 (Sr的百分比) 15 % 真实开关距离Sr 10 mm 额定开关距离Sn 10 mm

Remarks 在排除了过载后，传感器将重新生效。

高温压力传感器是工业实践中为常用的一种压力变送器，其广泛应用于各种工业自控环境，

涉及石油管道、水利水电、铁路交通、智能建筑、自控、

航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道送风、锅炉，熔炉等众多行业。

无论外壳还是电缆结构都已针对提高的温度作了优化。

目前，研究比较多的高温压力传感器主要有SOS，SOI，SiO2，Poly2Si等半导体传感器，

还有溅射合金薄膜高温压力传感器、高温光纤压力传感器和高温电容式压力传感器等。

半导体电容式压力传感器相比压阻式压力传感器其灵敏度高、温度稳定性好、功耗小，

且只对压力敏感，对应力不敏感，因此，电容式压力传感器在许多领域得到广泛应用。

我们的耐高温传感器设计用于较高达160 °C的温度：

测量工作电流Ie 200 mA 测量绝缘电压Ui 75 V DC 电压降，

静态，较大 2.5 V 迟滞H，较大 (Sr的百分比) 10.0 %

Environmental conditions 环境温度 -25…160 °C 防护等级IEC 60529 IP68

Functional safety MTTF (40 °C) 1900 a

General data 许可/一致性 CE EAC

Material 外壳材料 1.4571 护套材料 PTFE, FEP 有效面，材料 PEEK

高温压力传感器由硅膜片、衬底、下电极和绝缘层构成。其中下电极位于厚支撑的衬底上。

电极上蒸镀一层绝缘层。硅膜片则是利用各向异性腐蚀技术，在一片硅片上从正反面腐蚀形成的。

上下电极的间隙由硅片的腐蚀深度决定。

硅膜片和衬底利用键合技术键合在一起，形成具有一定稳定性的硅膜片电容压力传感器。

电子装置完全内置。有些类型还可用作高压传感器，

使用起来更加灵活。这样您就能降保养成本、提升过程质量和提高设备可用性。

特点：没有温度影响下的开关距离漂移

温度范围可达160 °C

可提供至IP68的高防护等级

不锈钢外壳1.4571

不同的结构和尺寸

导线截面 0.34 mm² 导线数 3 导线长度 2 m 电缆直径D 3.70 mm 

短路保护 是 连接方式 电缆, 2.00 m, PTFE

Electrical data 余波，较大 (Ue的百分比) 10 % 反极性保护 是 就绪延时tv，

较大 160 ms 工作电压Ub 10…30 VDC 开关频率 200 Hz 较大剩余电流lr 20 µA 较大无功电流lo，

无衰减 7 mA 较大重复精度 (Sr的百分比) 5.0 % 测量工作电压Ue DC 24 V 

高温压力传感器是为了解决在高温环境下对各种气体、液体的压力进行测量。

主要用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力、

井下压力和各种发动机腔体内的压力、高温油品液位与检测、油井测压等领域。

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