SUNX微型激光位移传感器，CMOS型

　　SUNX微型激光位移传感器，CMOS型

　　·外加电压：30VDC以下(控制输出和0V之间)

　　·剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时)

　　设计出内部设置反射镜的新型光学系

　　较大输出：0.2mW、投光峰波长度：655nm

　　设计出内部安装有镜面的新型光学系统

　　受光元件CMOS图像传感器　　控制输出

　　采用位移传感器所使用的CMOS影像传感器，以及位移传感器

　　W20mm×H44mm×D25mm　　配备模拟输出

　　·较大源电流：50mA　　·外加电压：30V DC以下(控制输出和＋V之间)

　　消耗电流40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)

　　精度所产生的影响。

　　测量。　　1mm/100mm的。

　　·输出范围：0V～5V(正常时)；5.2V(报警时)

　　电源电压12V DC～24V DC±10%　脉动P-P10%

　　少外壳变形和温度等不稳定因素对测量

　　※截止到2014年3月，根据本公司调查

　　长，机身形状也会变大。HG-C系列

　　稳定检测10μm的CMOS激光传感器

　　统，并缩短进深方向的尺寸，同时又

　　SUNX微型激光位移传感器，CMOS型

　　·较大流入电流：50mA　　·漏电流：0.1mA以下

　　(CMOS)之间的光路长度，从而可获

　　光源红色半导体激光　2级(JIS/IEC/GB)、Ⅱ级(FDA)(注2)

　　可实现与变位传感器相媲美的

　　·漏电流：0.1mA以下　　短路保护配备(自动复位式)　　模拟输出

　　输出动作入光时ON／非入光时ON　可切换

　　是另一方面，传感器的进深方向会变

　　形状达到业内小型级别 ※进深：25mm业内较短

　　〈PNP输出型〉　　PNP开路集电极晶体管

　　〈NPN输出型〉　　NPN开路集电极晶体管

　　采用同时兼顾轻量与强度的铝铸外壳。

　　·剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时)

　　得精度更高、更稳定的测量值，但

　　直线性±0.1%F.S. ±0.2%F.S. ±0.3%F.S.

　　光束直径约φ50μm 约φ70μm 约φ120μm 约φ300μm 约φ500μm 约φ150μm

　　CMOS影像传感器&配备独特的算法

　　SUNX微型激光位移传感器，CMOS型