功能特性，SUNX微型激光位移传感器

功能特性，SUNX微型激光位移传感器

描述

稳定检测10 稳定检测10μm的CMOS激光传感器 m的CMOS激光传感器

形状达到业内小型级别 ※进深：25mm业内较短

W20mm×H44mm×D25mm

※截止到2014年3月，

配备模拟输出

·直线性：±0.1%F.S. ·温度特性：0.03%F.S./℃

不仅能以mm为单位显示数值，还能读取模拟电压输出。

读入到PLC＋模拟量单元，还能执行各种运算，并存储(记录)测量值。

PLC

・FP0R-C10控制单元 (带RS232C端口) AFP0RC10CRS

・A/D转换单元 输入8ch (端子台型) AFP0401

设计出内部安装有镜面的新型光学系统

一般通过延长受光部分与受光元件

(CMOS)之间的光路长度，从而可获

得精度更高、更稳定的测量值，但

是另一方面，传感器的进深方向会变

长，机身形状也会变大。HG-C系列

设计出内部设置反射镜的新型光学系

统，并缩短进深方向的尺寸，同时又

可实现与变位传感器相媲美的

测量。

CMOS影像传感器&配备独特的算法

采用位移传感器所使用的CMOS影像传感器，以及位移传感器

一直使用的本公司独特的算法，实现了至今未有的微型激光传感器

1mm/100mm的。

温度特性 0.03%F.S./℃

光源 红色半导体激光　2级(JIS/IEC/GB)、Ⅱ级(FDA)(注2)

输出：1mW、投光峰波长度：655nm

红色半导体激光　Ⅰ级(JIS/IEC/GB)

输出：0.2mW、投光峰波长度：655nm

光束直径 约φ50μm 约φ70μm 约φ120μm 约φ300μm 约φ500μm 约φ150μm 

受光元件 CMOS图像传感器

电源电压 12V DC～24V DC±10%　脉动P-P10%

消耗电流 40mA以下(电源电压24V DC时)、60mA以下(电源电压12V DC时)

控制输出

〈NPN输出型〉

NPN开路集电极晶体管

·流入电流：50mA

·外加电压：30VDC以下(控制输出和0V之间) ·剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时) ·漏电流：0.1mA以下

〈PNP输出型〉

PNP开路集电极晶体管

·源电流：50mA

·外加电压：30V DC以下(控制输出和＋V之间) ·剩余电压：1.5V以下(流入电流50mA时) ·漏电流：0.1mA以下

输出动作 入光时ON／非入光时ON　可切换

短路保护 配备(自动复位式)

模拟输出

·输出范围：0V～5V(正常时)；5.2V(报警时)

功能特性，SUNX微型激光位移传感器