倍加福P+F光电传感器GLV18-8-450/73/120安全隐患

倍加福P+F光电传感器GLV18-8-450/73/120安全隐患

特征：

有效作用距离是由目标的反射能力决定，由目标表

面性质和和颜色决定；较小的装配开支，当开关由

景抑制功能调节测量距离；对目标上的灰尘敏感和

单个元件组成时，通常是可以达到粗定位；采用背

对目标变化了的反射性能敏感。

电路设计：

红外光电传感器在应用过程中， 为了使红外光电传

感器能够区分出有效的红外信号及背景环境中的红

音信号或单音脉冲频率调制信号。 调制还可以抑制

系统中各个环节的固有噪声和外部电磁场的干扰，

外辐射从而 提供具有良好效果的较大探测范围， 

发射的红外光束须用频率来调制， 接收部分配备对

应的频率检波器。 所发射 的光束可使用连续的单

使系统具有更高的探测能力。

型号：

NBN4-12GM50-E2-V1

NBN4-12GM50-E0

NBN8-18GM40-Z0

NCB10-30GM40-NO

NCN15-30GM40-NO

NCN15-M1K-E4

NCN30+U1+Z2

NCN50-FP-A2-P1

NCN8-18GM40-Z0

NBB2-12GM50-E2-V1

NBB5-18GM50-E2

RL28-55-V/47/82b/105

UB300-18GM40-E5-V1

UC2000-30GM-IUR2-V15

PVI78N-10CK2A31N-00300

NBB2-12GM60-A2

NBB4-12GM50-E0

NBB5-F33-E0

NBN15-30GM40-Z0

NBN40-L2-E2-V1

GL5-T/43a/155

GL5-U/43a/115

GL80-RT/32/40A/98A

GLV12-54/37/40b/115

P+F NBN4-12GM40-E2-V1 

P+F NBN4-12GM40-Z0 

P+F NBN4-12GM40-Z0-V1 

P+F NBN4-12GM40-Z3-V1 

P+F NBN4-12GM50-E0 

P+F NBN4-12GM50-E0-V1 

P+F NBN4-12GM50-E2 

P+F NBN4-12GM50-E2-V1 

P+F NBN4-12GM60-A0 

P+F NBN4-12GM60-A0-V1 

P+F NBN4-12GM60-A2 

P+F NBN4-12GM60-A2-V1

GLV12-8-200/37/40b/92

GLV18-55/115/120

GLV18-55/25/102/159

NBN4-12GM40-Z0

NJ1.5-18GM-N-D

NJ1.5-6.5-N-V3-Y187

NJ1.5-8GM-N

RHI58N-OBAK1R61N-01000

NBB2-8GM30-E2

3RG4013-0AB00-1AG0-PF

RVI50N-09BK0A3TN-00500

PVM58N-011AGR0BN-1213

V1-W-5M-PVC电缆

倍加福P+F光电传感器GLV18-8-450/73/120安全隐患